一种宽沟槽大功率肖特基二极管及其制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种宽沟槽大功率肖特基二极管及其制备方法，所述肖特基二极管包括阴极金属、设置在所述阴极金属上端的硅衬底、设置在所述硅衬底上端的第一硅外延层、设置在所述第一硅外延层上端的阳极金属、二氧化硅保护层。本发明的肖特基二极管及其制备方法，能够适应于中小型企业的生产制备，在保证不影响肖特基二极管正向导通功率大小的前提下，还能填充更多的多晶硅，以提升肖特基二极管的ESD和抗浪涌电流能力。
基本信息
专利标题 ：
一种宽沟槽大功率肖特基二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566551A
申请号 ：
CN202210157089.7
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柴力
申请人 ：
先之科半导体科技（东莞）有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市寮步镇寮步百业路70号1栋、2栋
代理机构 ：
东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何新华
优先权 ：
CN202210157089.7
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L21/329 H01L29/06
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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