一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制...
授权
摘要
本发明涉及一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法，该器件包括碳化硅衬底、位于碳化硅衬底之上的碳化硅外延层、位于碳化硅外延层之上的栅介质层、位于栅介质层之上的层间介质层，在碳化硅衬底的背部沉积金属形成漏极接触，在碳化硅外延层与栅介质层之间由下往上设有P阱2区和P阱1区，在P阱1区中设有P型和N型杂质离子区，在栅介质层上设有栅极，在层间介质层上沉积金属层以形成源极。该器件的制造方法中利用P阱2制作侧墙，使N+源区自对准P阱2以形成沟道长度L，并将源区的P阱分开，使N‑外延与源端金属接触，由于N‑外延浓度较淡，其与源端金属将形成肖特基接触，从而将肖特基二极管集成到短沟道的碳化硅MOSFET中。
基本信息
专利标题 ：
一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111048408A
申请号 ：
CN202010005540.4
公开（公告）日 ：
2020-04-21
申请日 ：
2020-01-03
授权号 ：
CN111048408B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
谭在超罗寅丁国华
申请人 ：
苏州锴威特半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层
代理机构 ：
南京众联专利代理有限公司
代理人 ：
叶倩
优先权 ：
CN202010005540.4
主分类号 ：
H01L21/04
IPC分类号 ：
H01L21/04 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-05-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/04
申请日 : 20200103
申请日 : 20200103
2020-04-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111048408A.PDF
PDF下载
