具有增加的沟道长度的半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种半导体器件包括：形成在基片预定部分中的沟槽以及在所述沟槽下的第一凹陷区。场氧化物层被埋到所述沟槽和第一凹陷区两者中。有源区由所述场氧化物层限定，并且具有第一有源区以及第二有源区。后者具有形成在比前者低的有源区部分中的第二凹陷区。阶梯栅图案形成在所述第一有源区和第二有源区之间的边界区上。所述栅图案具有阶梯结构，其一侧延伸到所述第一有源区的表面，且另一侧延伸到所述第二有源区的表面。
基本信息
专利标题 ：
具有增加的沟道长度的半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841749A
申请号 ：
CN200510003584.9
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵俊熙
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200510003584.9
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L29/78 H01L21/8242 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2015-02-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599919229
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL2005100035849
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20081203
终止日期 : 20131230
号牌文件序号 : 101599919229
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL2005100035849
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20081203
终止日期 : 20131230
2008-12-03 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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