在制造量子计算器件期间用于增加沟道迁移率的处理
实质审查的生效
摘要
描述了与处理量子计算器件以增加沟道迁移率有关的方法。示例方法包括在晶片的表面上形成超导金属层。方法还包括选择性去除超导金属层的一部分，以允许后续形成与器件相关联的栅极电介质，其中选择性去除引起与量子计算器件相关联的沟道迁移率的减小。方法还包括：在形成栅极电介质之前，使晶片经受等离子体处理，其中与等离子体处理相关联的参数集被选择以增加沟道迁移率。
基本信息
专利标题 ：
在制造量子计算器件期间用于增加沟道迁移率的处理
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270548A
申请号 ：
CN202080057494.0
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-06-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·C·卡西迪S·J·保卡C·N·艾伦
申请人 ：
微软技术许可有限责任公司
申请人地址 ：
美国华盛顿州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN202080057494.0
主分类号 ：
H01L39/24
IPC分类号 ：
H01L39/24 H01L27/18 H01L39/22 G06N10/00
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 39/24
申请日 : 20200609
申请日 : 20200609
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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