一种小沟道电阻的HEMT器件
授权
摘要
本实用新型涉及半导体领域，具体来说是一种小沟道电阻的HEMT器件，包括衬底，所述衬底上设有缓冲层；所述缓冲层上设有沟道层；所述沟道层上设有势垒层；所述势垒层上具有源极、栅极以及漏极；所述栅极与势垒层之间设有P‑GaN层；所述源极与栅极以及栅极与漏极之间设有基础介质层，所述基础介质层上刻蚀有多个沟槽，所述沟槽内生长有填充介质层。本实用新型公开了一种小沟道电阻的HEMT器件；本实用新型通过改变介质层的压应力方式来调节势垒层受到的应力作用，介质层起到调节沟道2DEG的作用；进而减小沟道电阻，改善频率特性。
基本信息
专利标题 ：
一种小沟道电阻的HEMT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123398033.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
CN216528895U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
李晋杨淞义高欣源钟敏袁松钮应喜赵海明赵清单卫平
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
李志起
优先权 ：
CN202123398033.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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