一种改进器件浅沟道隔离边缘漏电的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种改进器件浅沟道隔离边缘漏电的方法，即按顺序对器件进行如下工艺步骤：第一次无光敏性有机物涂布、第一次涂胶、N阱光罩曝光、N阱注入、第一次干法去胶、第一次湿法去胶、第二次无光敏性有机物涂布、第二次涂胶、P阱光罩曝光、P阱注入、第二次干法去胶、第二次湿法去胶、HF处理、栅氧生长。本发明方法大大减短了后期的HF处理时间，减少了由于该步HF处理对STI顶部边缘小角的影响，可以减小STI边缘漏电流。
基本信息
专利标题 ：
一种改进器件浅沟道隔离边缘漏电的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1971871A
申请号 ：
CN200510110605.7
公开（公告）日 ：
2007-05-30
申请日 ：
2005-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周贯宇
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110605.7
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76 H01L21/82
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
2014-01-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101684694988
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL2005101106057
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131216
号牌文件序号 : 101684694988
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL2005101106057
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20131216
2008-10-15 ：
授权
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2007-05-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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