在栅氧生长工艺流程中减小浅沟槽隔离边缘漏电的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种在栅氧生长工艺流程中减小浅沟槽隔离边缘漏电的方法，它不但可以减小STI边缘漏电，并且可以节省热预算。所述的栅氧生长工艺流程至少包括以下步骤：牺牲氧化层生长；阱注入；热处理；栅氧生长；其中，它将利用等离子体化学气相沉积方法生长的二氧化硅作为所述的牺牲氧化层。利用等离子体化学气相沉积的二氧化硅更容易被HF刻蚀的原理，从而大大减短了在栅氧生长之前的HF处理时间，减少了由于该步HF处理对STI顶部边缘小角的影响，达到获得较小STI边缘漏电流的效果；同时，也利用等离子体化学气相沉积的二氧化硅的温度更低的原理，节省了热预算，并有助于减小硅片的静态漏电流。
基本信息
专利标题 ：
在栅氧生长工艺流程中减小浅沟槽隔离边缘漏电的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1964014A
申请号 ：
CN200510110123.1
公开（公告）日 ：
2007-05-16
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周贯宇
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110123.1
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
2009-01-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-11 ：
实质审查的生效
2007-05-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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