一种背面边缘带绝缘沟槽的IGBT
授权
摘要
本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种背面边缘带绝缘沟槽的IGBT，旨在解决现有技术中边缘区域电流密度大，容易烧毁的问题，其技术要点在于包括集电极、发射极及主体部，所述主体部指向所述背离金属层一侧设置有若干沟槽，所述沟槽位于所述主体部靠近边缘处。通过在主体部指向集电极一侧设置沟槽，使得沟槽处没有电流流过，从而调节IGBT边缘的电流密度。同时，流经IGBT正面边缘的电流密度也会降低，从而使得由于原来电流密度过大容易损坏的IGBT正面边缘区域得到保护，增强IGBT器件的使用寿命和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种背面边缘带绝缘沟槽的IGBT
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112599596A
申请号 ：
CN202010822541.8
公开（公告）日 ：
2021-04-02
申请日 ：
2020-08-14
授权号 ：
CN112599596B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
夏华忠李健黄传伟
申请人 ：
江苏东海半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
代理机构 ：
苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
叶栋
优先权 ：
CN202010822541.8
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/08
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-04-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20200814
申请日 : 20200814
2021-04-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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