半导体结构中的沟槽边缘的检测方法、装置与检测系统
实质审查的生效
摘要

本申请提供了一种半导体结构中的沟槽边缘的检测方法、装置与检测系统。该方法包括:获取至少包括沟槽图像的目标图像;对目标图像进行过滤出来,得到沟槽的位置信息;根据沟槽的位置信息,确定沟槽的锐度。该方法中,对目标图像进行过滤处理,将不属于沟槽的部分滤除,这样目标图像中就只有沟槽的图像,没有其他噪点,然后根据沟槽在目标图像中的位置信息,就可以计算沟槽的锐度,因为目标图像中只有沟槽的图像,没有其他部分的干扰,从而使得计算的误差比较小,进而可以准确计算沟槽的锐度,进而解决了发明人了解的技术方案中检测沟槽边缘锐度的方法不准确的问题。

基本信息
专利标题 :
半导体结构中的沟槽边缘的检测方法、装置与检测系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114445438A
申请号 :
CN202210081000.3
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
法提·奥尔梅兹豆海清陈广甸
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 :
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
霍文娟
优先权 :
CN202210081000.3
主分类号 :
G06T7/13
IPC分类号 :
G06T7/13  G06T5/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06T
一般的图像数据处理或产生
G06T5/00
图像的增强或复原
G06T5/50
通过使用多于一幅图像的,例如平均、减少
G06T7/13
边缘检测
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06T 7/13
申请日 : 20220124
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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