低阻碳化硅MOSFET器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种低阻碳化硅MOSFET器件，在N型漏极上设有N型外延层，在N型外延层上方设有P型体区，在P型体区上方设有P型外延层，在P型体区和P型外延层的中部设有N型JFET区，在P型外延层的外侧设有N型源极，在N型源极的外侧设有P型源极，在N型JFET区与P型外延层的上方以及部分N型源极的上方设有栅氧化层，在栅氧化层的上方设有栅极多晶硅，在栅极多晶硅的上方以及部分N型源极的上方设有绝缘介质层，在绝缘介质层的上方以及部分N型源极与P型源极的上方设有源极金属，在N型漏极的背面设有漏极金属。本发明使用P型外延层形成器件表面沟道区域，沟道迁移率较高，从而能够获得较小的沟道电阻。
基本信息
专利标题 ：
低阻碳化硅MOSFET器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284359A
申请号 ：
CN202111590877.7
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱袁正黄薛佺杨卓叶鹏
申请人 ：
无锡新洁能股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区电腾路6号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
涂三民
优先权 ：
CN202111590877.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/10
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
