本申请实施例公开了一种碳化硅MOSFET器件的制造方法，包括在漏极上形成第一掺杂类型的衬底；在衬底上形成第一掺杂类型的漂移区；在漂移区上形成多个第二掺杂类型的体区；淀积/生长场氧化层，特别地，在A多晶栅极区有场氧化层遮挡；JFET注入，使得：邻近A多晶栅极区的漂移区没有JFET注入，而邻近B多晶栅极区内的漂移区有JFET注入；移除场氧化层，并进行：有源源蚀刻、栅极层生长、多晶硅沉积、多晶硅蚀刻；源CT和栅CT刻蚀，P+注入；金属沉积和蚀刻；以及钝化/聚酰亚胺沉积和蚀刻。本发明在不改变工艺步骤且不增加工艺流程的前提下，仅对JFET注入屏蔽做修改，在A多晶栅极区的场氧化层下方不做JFET注入。藉此，当MOS承受反向耐压时A多晶栅极区下方JFET区更容易耗尽，不影响器件耐压。