LDMOS器件及其制造方法
公开
摘要
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及LDMOS器件及其制造方法。器件的基底层包括有第一导电类型衬底，和在第一导电类型衬底上横向相邻的第一导电类型体区和第二导电类型漂移区，第一导电类型衬底与第二导电类型漂移区形成纵向扩散交界面，第一导电类型体区和第二导电类型漂移区形成横向扩散交界面；栅极结构位于横向扩散交界面位置处的基底层上，跨接第一导电类型体区和第二导电类型漂移区，场板结构覆盖位于栅极结构和漏极掺杂区之间的第二导电类型漂移区上；场板结构靠近漏极掺杂区的部分为具有第一厚度的第一场板部，场板结构的其余部分为具有第二厚度的第二场板部，第一厚度大于第二厚度。LDMOS器件制造方法用于形成上述器件。
基本信息
专利标题 ：
LDMOS器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566540A
申请号 ：
CN202210127119.X
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许昭昭
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202210127119.X
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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