MOS器件的制造方法
授权
摘要
在本发明提供的MOS器件的制造方法中，通过形成第一侧墙层，所述第一侧墙层覆盖所述第一栅极结构、所述第二栅极结构以及所述半导体衬底；对所述半导体衬底进行离子注入工艺，以形成离子注入区；去除所述核心器件区的半导体衬底上的所述第一侧墙层，暴露出部分所述半导体衬底；在暴露出的所述半导体衬底上形成外延硅层，在所述外延硅层生长过程中会产生热量，所述离子注入区的离子能够向所述离子注入区外的所述半导体衬底扩散。由此，能够代替退火工艺，从而抑制热载流子注入效应，提高器件的性能。另外，由于省去了后续的退火工艺，可以节省加工时间。
基本信息
专利标题 ：
MOS器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110867412A
申请号 ：
CN201911136246.0
公开（公告）日 ：
2020-03-06
申请日 ：
2019-11-19
授权号 ：
CN110867412B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
汪韬唐小亮
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN201911136246.0
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/088 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-03-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20191119
申请日 : 20191119
2020-03-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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