半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种半导体器件的制造方法。在场绝缘膜的开口中在半导体衬底的表面上形成栅极绝缘膜，且其后在绝缘膜上形成由掺杂的多晶硅等制成的栅电极和电容器下电极。通过使用场绝缘膜和栅电极作为掩模的离子注入工艺来形成袋状区，且其后通过CVD等形成覆盖电极的绝缘层。由通过所述绝缘层的离子注入工艺来形成延伸区。根据绝缘层的厚度可以以高精确度决定袋状区和相关的延伸区之间的偏移距离。在形成侧分隔体之后，形成高浓度源极/漏极区。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812060A
申请号 ：
CN200510022948.8
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
神谷孝行
申请人 ：
雅马哈株式会社
申请人地址 ：
日本静冈县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510022948.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2014-02-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101570138468
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005100229488
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20090211
终止日期 : 20121219
号牌文件序号 : 101570138468
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005100229488
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20090211
终止日期 : 20121219
2009-02-11 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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