半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1549316A
申请号 ：
CN200410045674.X
公开（公告）日 ：
2004-11-24
申请日 ：
1993-08-27
授权号 ：
CN100483651C
授权日 ：
2009-04-29
发明人 ：
山崎舜平张宏勇
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
罗 朋
优先权 ：
CN200410045674.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/28 H01L21/20 H01L21/00 H01L21/8234 H01L21/84
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2013-10-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101532928459
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL200410045674X
申请日 : 19930827
授权公告日 : 20090429
终止日期 : 20120827
号牌文件序号 : 101532928459
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL200410045674X
申请日 : 19930827
授权公告日 : 20090429
终止日期 : 20120827
2009-04-29 ：
授权
2005-01-26 ：
实质审查的生效
2004-11-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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