半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
课题：不使要求比较高的动作速度的低耐压MOS晶体管的动作特性低下、且改善高耐压MOS晶体管的耐压特性。解决方法：准备含有区分低耐压区域的有源区域、高耐压区域的形成栅电极(25)的区域下方的有源区域、高耐压区域的形成扩散区域(23n/23p)的一对有源区域的元件隔离绝缘膜(11)的半导体衬底(10)；形成在形成栅电极(25)的区域下方的有源区域以及与该有源区域相邻接的元件隔离绝缘膜(11)上具有开口的氮化硅膜(44)；热氧化从开口露出的半导体衬底(10)以及元件隔离绝缘膜(11)；去除氮化硅膜(44)；热氧化露出的半导体衬底(10)以形成栅极绝缘膜(14)；在栅极绝缘膜(14)以及(24)上形成栅电极(15、25)，并在半导体衬底(10)上形成一对高浓度扩散区域(13n/13p)以及扩散区域(23n/23p)。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841706A
申请号 ：
CN200610002412.4
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
本间俊广
申请人 ：
冲电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN200610002412.4
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2012-04-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101217909998
IPC(主分类) : H01L 21/8234
专利号 : ZL2006100024124
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20090812
终止日期 : 20110127
号牌文件序号 : 101217909998
IPC(主分类) : H01L 21/8234
专利号 : ZL2006100024124
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20090812
终止日期 : 20110127
2009-08-12 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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