一种基于分裂栅的碳化硅MOSFET器件及其制造方法
公开
摘要
本发明公开了一种基于分裂栅的碳化硅MOSFET器件及其制造方法，所述该方法包括：将第一导电类型重掺杂区上的中间区域刻蚀出第一沟槽结构；第二导电类型体区深入到第一导电类型外延层内刻蚀出第二沟槽结构，第二沟槽结构的宽度小于第一沟槽结构的宽度；所述第一导电类型重掺杂区深入第二导电类型体区；第一沟槽结构和第二沟槽结构内表面形成二氧化硅；二氧化硅上淀积多晶硅，形成多晶硅栅。通过第一沟槽结构和第二沟槽结构形成了MOSFET的T型分裂栅沟槽结构，缩小了MOSFET器件元胞的尺寸，有效的消除JFET电阻、提高沟道的迁移率，降低碳化硅MOSFET器件的损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种基于分裂栅的碳化硅MOSFET器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597130A
申请号 ：
CN202210344709.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-04-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邓永辉史经奎朱楠徐贺梅营
申请人 ：
致瞻科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区新骏环路588号23幢101室
代理机构 ：
上海汇知丞企知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨戬
优先权 ：
CN202210344709.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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