具有波形沟道区域的碳化硅平面MOSFET
公开
摘要
一种碳化硅MOSFET，包括分别设置在第一阱区和第二阱区中的第一源极区和第二源极区。第一和第二源极区中的每一者都延伸到衬底的顶部表面。相应的第一阱区和第二阱区的第一沟道区和第二沟道区将第一源极区和第二源极区与JFET区横向地分开一沟道长度。第一和第二沟道区向上延伸到顶部表面。第一和第二沟道区各自以波形图案布置在衬底的顶部表面处。波形图案在第一和第二横向方向上延伸。在导通状态下，电流从第一和第二源极区横向流到JFET区，然后在垂直方向上向下通过延伸的漏极区流到漏极区。
基本信息
专利标题 ：
具有波形沟道区域的碳化硅平面MOSFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600249A
申请号 ：
CN202080073622.0
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
R·R·波特拉V·帕拉T·威特
申请人 ：
赛美科公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
高英英
优先权 ：
CN202080073622.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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