具有窄沟道图形的制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种具有窄沟道图形的制备方法，包括以下步骤：在基材上涂覆功能性浆料，根据设计的图形采用遮光物质进行遮光，进行闪灯烧结，移除遮光物质，再次进行闪灯烧结，得到具有窄沟道的图形膜片。本发明的一种具有窄沟道图形的制备方法，其采用闪灯烧结技术，对浆料进行两次烧结，第一次烧结时采用遮光物质进行遮光，使得被遮光的边缘处在烧结时产生收缩，进而得到20‑80μm的窄沟道，且闪灯烧结对基材的影响小。采用该制备方法能够能够快速且方便的在图形上制备得到沟道。
基本信息
专利标题 ：
具有窄沟道图形的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112768138A
申请号 ：
CN202011510456.4
公开（公告）日 ：
2021-05-07
申请日 ：
2020-12-18
授权号 ：
CN112768138B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
吴馨洲朱思猛潘丽赵苗芬
申请人 ：
安捷利电子科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州市高新区鹿山路188号
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
俞春雷
优先权 ：
CN202011510456.4
主分类号 ：
H01B13/00
IPC分类号 ：
H01B13/00 H01B5/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B13/00
制造导体或电缆制造的专用设备或方法
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-05-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01B 13/00
申请日 : 20201218
申请日 : 20201218
2021-05-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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