一种具有渐变掺杂沟道的SiC MOSFET器件及其制备工...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种具有渐变掺杂沟道的SiC MOSFET器件及其制备工艺，所述SiC MOSFET器件包括SiC漂移区、P型体区、源极N型掺杂区、栅极氧化层、源极金属和栅极，P型体区形成于SiC漂移区表面的两侧，源极N型掺杂区形成于P型体区上，且至少部分未覆盖住P型体区，栅极氧化层部分形成于SiC漂移区上，部分形成于P型体区上，且部分形成于源极N型掺杂区上；源极金属形成于源极N型掺杂区上且靠近源极N型掺杂区的外侧边设置，SiC漂移区上被栅极氧化层覆盖住的位置处的掺杂浓度低于源极N型掺杂区被栅极氧化层覆盖住的位置处的掺杂浓度。本发明利于提升器件阈值电压一致性，以及避免器件沟道区产生极热点，提高栅极氧化层可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种具有渐变掺杂沟道的SiC MOSFET器件及其制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335161A
申请号 ：
CN202111642611.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
祁金伟彭虎
申请人 ：
深圳市千屹芯科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新安街道海裕社区82区新湖路华美居商务中心A区612
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王锋
优先权 ：
CN202111642611.2
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/16 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/10
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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