一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法，包括：由下至上依次设置的第一Si衬底层、P‑GaN层、UID‑InxGaN层、AlyGaN势垒层和保护层；AlyGaN势垒层、UID‑InxGaN层和P‑GaN层形成N面的异质结结构；其中，0.02≤x≤0.05；AlyGaN势垒层上开设有栅极凹槽；AlyGaN势垒层的两侧分别沉积有源电极和漏电极；其中，0.2≤y≤0.3；源电极和漏电极均延伸至保护层内；栅极凹槽，槽口朝向保护层；栅极凹槽上设置有栅电极；栅电极延伸至保护层内；源电极、漏电极和栅电极的上方分别沉积有贯穿保护层的互联金属。本发明够使P沟道器件有较高的空穴迁移率，从而改善了器件的性能，以实现高电流密度器件。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530498A
申请号 ：
CN202210013554.X
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马晓华侯斌牛雪锐杨凌张濛武玫王冲郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210013554.X
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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