一种具有均匀掺杂沟道的屏蔽栅MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型公开一种具有均匀掺杂沟道的屏蔽栅MOSFET器件，在现有屏蔽栅MOSFET器件基础上，优化第一导电类型体区结构，增加了器件在耐压的状态下第一导电类型体区内耗尽区的延展宽度；同时减小了低压应用下第一导电类型体区的漏电流，降低了第一导电类型体区在耐压过程中的穿通风险；还可以获得更低的第一导电类型体区的寄生电阻，避免了器件中寄生三极管的开启，提高了器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种具有均匀掺杂沟道的屏蔽栅MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022530296.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-04
授权号 ：
CN212967713U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
李泽宏赵一尚胡汶金林泳浩李伟聪
申请人 ：
深圳市威兆半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区桃源街道田寮工业A区田寮大厦1115
代理机构 ：
深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人 ：
彭西洋
优先权 ：
CN202022530296.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/10
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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