本发明介绍了具有异型掺杂岛的半导体功率器件的耐压层，其特征是在耐压层中引入异型掺杂岛代替以往的一种导电类型的耐压层。耐压层中的异型掺杂岛是与衬底平行排列，异型掺杂岛可以是单层或多层，相邻两层异型掺杂岛是重迭排列或交错排列，其耐压层导通电阻与击穿电压的关系Ron＝0.83×10-8VB/n1.5(Ω.cm2)。同时本发明还提供了一些半导体高压功率器件的新结构，采用本发明可得到性能更优良的各类新结构的半导体高压功率器件。