一种耐压半导体器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种耐压半导体器件，包括壳体，所述壳体的表面设置有缓冲层，所述壳体的内侧壁设置有漏极，所述漏极的顶部设置有衬底，所述衬底的顶部设置有N‑电压隔离区，所述N‑电压隔离区的顶部镶嵌安装有P沟道体区，所述P沟道体区的顶部镶嵌安装有N+扩散源区。通过在P沟道体区与N‑电压隔离区和N+扩散源区的连接处形成PN结，通过半导体器件在栅极和漏极之间设置的N‑电压隔离区采用的碳化硅材料进而可以实现低导通电阻、高速开关和耐高温高压工作的同时也大大降低了N‑电压隔离区的厚度进而降低半导体器件的厚度进而节省了材料，通过该半导体器件壳体表面的缓冲层进而实现对半导体器件在受外力时进行缓冲保护而提高使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种耐压半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122479900.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-15
授权号 ：
CN216488067U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
张志周伟伟
申请人 ：
无锡维矽半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区二泉东路19号集智商务广场16楼
代理机构 ：
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
熊亮亮
优先权 ：
CN202122479900.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16 H01L29/772
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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