通过使用倾斜掺杂物注入凹入源极/漏极区的倒掺杂阱工程改进...
专利权的终止
摘要
公开了一种在其上具有栅电极的MOS器件衬底内提供光晕注入区并定义源极/漏极区的方法，一种根据以上方法制造的MOS器件以及包括该MOS器件的系统。该方法包括在衬底内其源极/漏极区处定义底切凹槽，该底切凹槽在栅电极之下延伸；在凹槽之间栅电极之下形成光晕注入区；以及在形成光晕注入区之后在底切凹槽内提供凸起的源极/漏极结构。
基本信息
专利标题 ：
通过使用倾斜掺杂物注入凹入源极/漏极区的倒掺杂阱工程改进MOS器件的短沟道效应
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101027762A
申请号 ：
CN200580032312.X
公开（公告）日 ：
2007-08-29
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
T·霍夫曼S·泰亚吉G·库雷罗B·塞尔C·奥瑟
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈斌
优先权 ：
CN200580032312.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L21/265
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2019-09-17 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20130529
终止日期 : 20180929
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20130529
终止日期 : 20180929
2013-05-29 ：
授权
2012-10-17 ：
发明专利更正
发明专利公报更正号牌文件类型代码 : 1608
号牌文件序号 : 101456575900
卷 : 26
号 : 32
页码 : 无
申请号 : 200580032312X
IPC(主分类) : H01L0021336000
修正类型代码 : 无
更正项目 : 专利申请公布后的驳回
误 : 驳回
正 : 撤销驳回
号牌文件序号 : 101456575900
卷 : 26
号 : 32
页码 : 无
申请号 : 200580032312X
IPC(主分类) : H01L0021336000
修正类型代码 : 无
更正项目 : 专利申请公布后的驳回
误 : 驳回
正 : 撤销驳回
2010-08-11 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003963996
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 200580032312X
公开日 : 20070829
号牌文件序号 : 101003963996
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 200580032312X
公开日 : 20070829
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2007-08-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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