本发明公开了一种集成电路离子注入掺杂工艺，涉及电路离子注入技术领域。该集成电路离子注入掺杂工艺，包括以下步骤：S1，确定离子的电荷数和荷质比，然后通过控制箱将掺杂气体通入离子源进行电离；S2，由离子源系统产生无金属杂质的离子束；S3，根据单个注入离子的电荷数和注入离子剂量，在剂量控制系统中设定设备所参考的离子注入总剂量；S4，由引出系统通过引出缝将纯的无金属杂质的带状离子束引入靶室；S5，离子束向靶片注入无金属杂质的多种离子。该集成电路离子注入掺杂工艺，通过设置防护架，在灰尘下落时可以通过防护架进行阻隔，避免灰尘落在控制箱上方，再通过设置连接板，对侧边的灰尘进行简单的防护，避免散热隔网被堵塞。