一种用于碳离子注入工艺的离子源装置
授权
摘要

本实用新型提供了一种用于碳离子注入工艺的离子源装置,其包括起弧室、盖板、灯丝、阴极和通气孔;其中,起弧室,用于电子与气体分子碰撞产生等离子体的腔室;盖板,其上设置有用于引出等离子体的引出缝,将等离子体引出起弧室;灯丝,其被加热之后产生第一组电子,第一组电子用于加热阴极;阴极,其被加热后,产生第二组电子,第二组电子用于起弧;通气孔,其设置在起弧室的内壁,用于向起弧室输入气体。本用于碳离子注入工艺的离子源装置可获得束流更大且更为纯净的碳离子束,并且减少了碳在起弧室、盖板、引出缝位置的堆积,从而减少了污染,提高了注入的质量,提升了产品良率。

基本信息
专利标题 :
一种用于碳离子注入工艺的离子源装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123228302.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-21
授权号 :
CN216528738U
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
肖志强刘金涛关天祺肖嘉星王振辉雷晓刚郑皓文侯爽张朋孙世豪张彦彬张林凯王亚
申请人 :
北京凯世通半导体有限公司
申请人地址 :
北京市大兴区北京经济技术开发区地盛西路1号数码庄园A2座
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202123228302.9
主分类号 :
H01J37/08
IPC分类号 :
H01J37/08  H01J37/317  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
H01J37/04
电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置,如电子光学装置,离子光学装置
H01J37/08
离子源;离子枪
法律状态
2022-05-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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