离子注入机台中离子源头的结构
授权
摘要
本发明公开了一种离子注入机台中离子源头的结构，包括起弧室、反射极和纯钨小挡板，所述起弧室包括石墨端板和石墨腔主体，所述石墨端板形成有凹槽，所述石墨腔主体压装在所述纯钨小挡板和所述石墨端板上，所述石墨端板和所述纯钨小挡板的中心处均形成有通孔，所述纯钨小挡板和所述石墨端板之间设有第一绝缘挡板，所述纯钨小挡板和所述石墨腔主体靠近所述石墨端板的端部之间设有第二绝缘挡板，所述第一绝缘挡板和所述第二绝缘挡板的中心处均形成有供反射极的端子部穿过的通孔。本发明可以有效解决peeling发生时反射极与纯钨小挡板导通而导致反射极与起弧室之间导通的问题，从而延长离子源头的使用寿命以及机台的维修周期。
基本信息
专利标题 ：
离子注入机台中离子源头的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111029235A
申请号 ：
CN201911353080.8
公开（公告）日 ：
2020-04-17
申请日 ：
2019-12-25
授权号 ：
CN111029235B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
谢石谦丁杰何春雷
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
栾美洁
优先权 ：
CN201911353080.8
主分类号 ：
H01J37/317
IPC分类号 ：
H01J37/317 H01J37/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-05-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/317
申请日 : 20191225
申请日 : 20191225
2020-04-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
