具有电磁屏蔽件的集成器件
公开
摘要
通过屏蔽技术改进从第一晶圆到第二晶圆的晶圆接合工艺的EM耦合。示例可以包括构建由BEOL堆叠体/布线、接合接触部和TSV实施的EM屏蔽件用于集成器件闭环屏蔽平台，以使涡电流引起的来自有源器件的EM干扰最小化。在使用两个不同的器件层/晶圆(有源器件层/晶圆和无源器件层/晶圆)的晶圆到晶圆接合工艺期间，该屏蔽件可以在该有源器件层中实施。该屏蔽件可以通过用于I/O端口和GND接触部两者的图案化的布线来进行设计。
基本信息
专利标题 ：
具有电磁屏蔽件的集成器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631182A
申请号 ：
CN202080076501.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金钟海J-H·兰R·达塔
申请人 ：
高通股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202080076501.1
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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