可变沟道AlGaN/GaN HEMT结构及制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种可变沟道AlGaN/GaN HEMT结构及制备方法，通过在衬底层上生长缓冲层；在缓冲层之上再生长多沟道层，即两层及以上的AlGaN/GaN异质结叠层；再对多沟道层进行选择性刻蚀，形成阶梯多沟道层；再在器件表面淀积介质钝化层，并进行化学物理抛光，形成阶梯钝化层和顶部钝化层；最后通过微纳加工工艺制备器件的金属电极，获得可变多沟道AlGaN/GaN HEMT结构。
基本信息
专利标题 ：
可变沟道AlGaN/GaN HEMT结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582962A
申请号 ：
CN202210462372.0
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-04-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭宇锋刘建华姚佳飞张珺李曼张茂林
申请人 ：
南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区文苑路9号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
石艳红
优先权 ：
CN202210462372.0
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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