一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法

实质审查的生效

摘要

本发明涉及一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法。所述制备方法包括：在基板上形成栅电极层；在栅电极层上制备栅绝缘层；在栅绝缘层上制备沟道层；在沟道层上附加耐刻蚀沟道层，形成双有源层；对双有源层进行图案化处理，形成图案化后的双有源层；在双有源层上制备源漏电极并进行图案化处理，形成图案化后的源漏电极层；在源漏电极层上制备钝化层并进行图案化和打孔处理，形成打孔后的样片；对打孔后的样片进行退火处理，形成BCE结构TFT成品。本发明方法适用于TFT制程，能够防止BCE结构TFT的金属电极刻蚀对有源层的损伤导致的器件关断和性能退化，同时制程简单、节省成本并且便于工业化应用。

基本信息

专利标题：

一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114373682A

申请号：

CN202210011514.1

公开（公告）日：

2022-04-19

申请日：

2022-01-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李喜峰王琛

申请人：

上海大学

申请人地址：

上海市宝山区上大路99号

代理机构：

北京高沃律师事务所

代理人：

刘芳

优先权：

CN202210011514.1

主分类号：

H01L21/34

IPC分类号：

H01L21/34 H01L29/10 H01L29/786

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/34

具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件

法律状态

2022-05-06 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/34
申请日 : 20220106

2022-04-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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