一种新型氧化物薄膜晶体管器件
授权
摘要
本实用新型公开的属于氧化物薄膜晶体管技术领域，具体为一种新型氧化物薄膜晶体管器件，包括柔软衬底、缓冲层和氧化物半导体，所述缓冲层安装在柔软衬底上端，所述氧化物半导体安装在缓冲层上端内侧，还包括：支撑机构，所述支撑机构安装在氧化物半导体上侧；所述支撑机构包括绝缘板一、绝缘板二和隔离组件，所述绝缘板一安装在氧化物半导体上端，所述绝缘板二安装在绝缘板一上端，所述绝缘板二的上表面设置有两组支撑筒和定位筒，本实用新型有益效果是：通过对氧化物半导体设置有隔离组件，对源极和漏极与氧化物半导体进行绝对隔离与防护，减少氧化物半导体对源极和漏极产生的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种新型氧化物薄膜晶体管器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123087168.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
CN216528843U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
宋家琪蔡文洁
申请人 ：
深圳技术大学
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
卢泽明
优先权 ：
CN202123087168.5
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L29/786
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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