一种新型氧化物薄膜晶体管器件
授权
摘要

本实用新型公开的属于氧化物薄膜晶体管技术领域,具体为一种新型氧化物薄膜晶体管器件,包括柔软衬底、缓冲层和氧化物半导体,所述缓冲层安装在柔软衬底上端,所述氧化物半导体安装在缓冲层上端内侧,还包括:支撑机构,所述支撑机构安装在氧化物半导体上侧;所述支撑机构包括绝缘板一、绝缘板二和隔离组件,所述绝缘板一安装在氧化物半导体上端,所述绝缘板二安装在绝缘板一上端,所述绝缘板二的上表面设置有两组支撑筒和定位筒,本实用新型有益效果是:通过对氧化物半导体设置有隔离组件,对源极和漏极与氧化物半导体进行绝对隔离与防护,减少氧化物半导体对源极和漏极产生的影响。

基本信息
专利标题 :
一种新型氧化物薄膜晶体管器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123087168.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-09
授权号 :
CN216528843U
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
宋家琪蔡文洁
申请人 :
深圳技术大学
申请人地址 :
广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号
代理机构 :
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 :
卢泽明
优先权 :
CN202123087168.5
主分类号 :
H01L23/00
IPC分类号 :
H01L23/00  H01L29/786  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2022-05-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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