一种薄膜晶体管器件

专利权的终止

摘要

一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。

基本信息

专利标题：

一种薄膜晶体管器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1909235A

申请号：

CN200610093456.2

公开（公告）日：

2007-02-07

申请日：

1992-09-25

授权号：

CN100490159C

授权日：

2009-05-20

发明人：

山崎舜平竹村保彦间濑晃鱼地秀贵

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

魏军

优先权：

CN200610093456.2

主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H01L27/12 H01L29/786 H01L21/84 H01L21/336