一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：半绝缘InP衬底、未掺杂InAlAs缓冲层、InP副沟道、第一未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道、未掺杂In0.7Ga0.3As主沟道、第二未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道、未掺杂InAlAs隔离层、delta‑doping层、未掺杂InAlAs势垒层、n+InGaAs源极帽层、n+InGaAs漏极帽层、源极电极、漏极电极、钝化层和栅极电极。本发明能够提高InP基HEMT的击穿电压，并保持高In组分沟道的输出特性和截止频率，提高晶体管均匀性和重复性的稳定性，满足InP基电子器件在低功耗低噪声、数字电路领域的应用要求。
基本信息
专利标题 ：
一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566545A
申请号 ：
CN202210116370.6
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨林安陈尧岳航博胡啸林马晓华郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210116370.6
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/10 H01L29/205 H01L21/335
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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