一种双沟道的TFT结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种双沟道的TFT结构，包括自下而上依次层叠设置的玻璃基板、第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层；TFT的第一栅极设置在所述第一金属层中，TFT的源极和TFT的漏极分别设置在所述第二金属层中，TFT的第二栅极设置在所述第三金属层中。本实用新型提供的一种双沟道的TFT结构，能够提高TFT的源极与漏极之间的电流。
基本信息
专利标题 ：
一种双沟道的TFT结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920444455.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-03
授权号 ：
CN209880623U
授权日 ：
2019-12-31
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
福建华佳彩有限公司
申请人地址 ：
福建省莆田市涵江区涵中西路1号
代理机构 ：
福州市博深专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
林志峥
优先权 ：
CN201920444455.0
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/336 H01L29/10
法律状态
2019-12-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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