一种双沟槽SS-SiC MOSFET结构
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摘要
本发明公开了一种双沟槽SS‑SiC MOSFET结构，包括：一碳化硅衬底；依次堆叠在衬底之上的一碳化硅N型电子漂移外延层、一碳化硅N型电流扩展外延层、一碳化硅P型基区层、一碳化硅N型重掺杂层、两个对称分布、从碳化硅N型重掺杂层顶部延伸到碳化硅N型电流扩展外延层中的碳化硅源极P型重掺杂离子注入区；两个在碳化硅源极P型重掺杂离子注入区内的源极沟槽；一位于中心的栅极沟槽；一位于栅极沟槽下的P型遮蔽区；一包覆栅极沟槽的二氧化硅层；一栅极多晶硅层。本发明提出的双沟槽SS‑SiC MOSFET结构，通过短P型遮蔽区和浅源极沟槽的设计，可以实现在不损失器件的耐压能力的同时，提高器件的电流能力。
基本信息
专利标题 ：
一种双沟槽SS-SiC MOSFET结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109768091A
申请号 ：
CN201910192344.X
公开（公告）日 ：
2019-05-17
申请日 ：
2019-03-13
授权号 ：
CN109768091B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
韩忠霖白云陈宏杨成樾陆江汤益丹田晓丽王臻星刘新宇
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
任岩
优先权 ：
CN201910192344.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2019-06-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20190313
申请日 : 20190313
2019-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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