芯片背面嵌入式微流体冷却沟道的制备方法及制备装置

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摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体为一种芯片背面嵌入式微流体冷却沟道的制备方法及制备装置，包括：通过在半导体衬底片的第一表面制备间隔排列的多个掩膜，将生成所述掩膜层的半导体衬底片浸泡入刻蚀液中，基于三电极体系并采用包含小于所述半导体衬底片对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述半导体衬底片的第一表面，从而对所述半导体衬底片的第一表面上未覆盖所述掩膜的半导体暴露部分进行刻蚀，刻蚀完成后得到嵌入式微流体冷却沟道，将包含嵌入式微流体冷却沟道作为冷却剂的流经通道用于对芯片进行降温。本发明能够在半导体衬底片上实现宽度和深度均可控的嵌入式微流体冷却沟道，操作简单，成本低。

基本信息

专利标题：

芯片背面嵌入式微流体冷却沟道的制备方法及制备装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114150362A

申请号：

CN202210115945.2

公开（公告）日：

2022-03-08

申请日：

2022-02-07

授权号：

CN114150362B

授权日：

2022-05-03

发明人：

王蓉耿文浩皮孝东陆军亮吴赞杨德仁

申请人：

浙江大学杭州国际科创中心

申请人地址：

浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼

代理机构：

杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

姚宇吉

优先权：

CN202210115945.2

主分类号：

C25F3/12

IPC分类号：

C25F3/12 C25F3/14 C25F7/00 H01L23/46