本发明涉及一种P型沟道氮化镓晶体管及其制备方法，该制备方法包括：步骤1：获取具有P型沟道氮化镓结构的晶圆；步骤2：在晶圆表面的两侧外延生长重生长层，重生长层为重掺杂三族氮化物，两个重生长层之间存在间隔；步骤3：在重生长层的表面淀积欧姆金属，形成源极欧姆接触和漏极欧姆接触；步骤4：在未被重生长层覆盖的晶圆表面和部分重生长层的表面淀积栅介质层；步骤5：在栅介质层的表面淀积栅金属，形成栅电极。本发明的制备方法，在轻掺杂P型沟道层上直接外延一层重掺杂P型沟道层，避免了栅下刻蚀P型沟道层带来的高界面态密度，提高了晶体管迁移率和跨导、降低了泄漏电流、解决了晶体管阈值电压不稳定和低可靠性等问题。