一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法
公开
摘要
本发明涉及一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法，负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管包括：由下至上的衬底、氮化镓沟道层、氮化铝镓势垒层、氧化层、铁电介质层和栅极，栅极为三维鳍式结构，且栅极由上至下覆盖铁电介质层、氧化层、氮化铝镓势垒层和氮化镓沟道层，且氧化层和铁电介质层在栅极覆盖的区域内形成三维鳍式结构；氮化铝镓势垒层的上表面一端设有源极，另一端设有漏极；氧化层和铁电介质层位于源极与漏极之间并连接漏极和源极。本发明采用负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管，利用铁电介质的负电容特性使加到氧化层表面的电压大于栅极电压，在同样的沟道宽度下提供更高的功率放大倍数，提升了氮化镓基功率晶体管的栅控能力。
基本信息
专利标题 ：
一种负电容鳍型栅氮化镓基功率晶体管及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597256A
申请号 ：
CN202210219208.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任开琳高蒙张建华殷录桥路秀真郭爱英王昊天
申请人 ：
上海大学
申请人地址 ：
上海市宝山区上大路99号
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
赵兴华
优先权 ：
CN202210219208.7
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/778 H01L29/78 H01L21/335 H01L21/336 H01L29/20
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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