一种基于氮化镓的CMOS场效应晶体管及制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种基于氮化镓的CMOS场效应晶体管及制备方法，CMOS场效应晶体管包括：衬底、绝缘导热层和金属栅极，绝缘导热层和金属栅极设置于抛光面上，且绝缘导热层位于金属栅极的两侧；在金属栅极内生长有形成第一沟道的nmos纳米片和生长有形成第二沟道的pmos纳米片，nmos纳米片和pmos纳米片均为氮化镓材料，nmos纳米片和pmos纳米片的两侧均延伸至绝缘导热层内；且在nmos纳米片与金属栅极之间，以及pmos纳米片与金属栅极之间生长有栅氧化层。本发明提供的基于氮化镓的CMOS场效应晶体管，解决沟道存在高热量的问题，增强栅极对沟道的控制能力，漏电流更小，静态功耗更低，散热性更强，使得器件能保持长时间的正常工作。
基本信息
专利标题 ：
一种基于氮化镓的CMOS场效应晶体管及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628523A
申请号 ：
CN202210089420.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘新科陈增发黄双武宋利军高麟飞林峰吴钧烨黎晓华贺威
申请人 ：
深圳大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号
代理机构 ：
深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
廖厚琪
优先权 ：
CN202210089420.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L29/207
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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