一种氮化镓3D-RESURF场效应晶体管及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种氮化镓3D‑RESURF场效应晶体管及其制备方法。本发明在传统氮化镓HEMT器件中通过刻槽并二次外延的方式引入P型氮化镓电场调制区。在漂移区处形成P型氮化镓—二维电子气构成的p‑n结，并通过器件阻断耐压时该p‑n结空间电荷区的耗尽与扩展在平行于栅宽方向引入电场强度分量，改变原有电场方向，使得栅极漏侧电场尖峰得到缓解，电场强度明显降低；同时，利用该p‑n结耗尽二维电子气，降低了器件漏电流，提高器件单位漂移区长度耐压能力。本发明通过在氮化镓HEMT器件中引入P型氮化镓—二维电子气p‑n结实现了一种不同于传统场板技术的新型电场调制方式，利用该新结构在提高器件击穿电压的同时降低了器件的导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓3D-RESURF场效应晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113078204A
申请号 ：
CN202110317473.4
公开（公告）日 ：
2021-07-06
申请日 ：
2021-03-25
授权号 ：
CN113078204B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
周琦李翔宇黄芃陈匡黎王景海韩晓琦张波
申请人 ：
电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202110317473.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210325
申请日 : 20210325
2021-07-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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