一种场效应晶体管及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种场效应晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，可降低短沟道效应的影响。一种场效应晶体管的制造方法，所述场效应晶体管具有源区、漏区、以及沟道区；所述场效应晶体管的制造方法包括：在半导体衬底上形成栅极氧化层；在所述沟道区，沿所述沟道长度的方向，所述栅极氧化层中靠近所述源区的部分为第一部分，所述栅极氧化层中靠近所述漏区的部分为第二部分，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。
基本信息
专利标题 ：
一种场效应晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496790A
申请号 ：
CN202011173860.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金志勋高建峰刘卫兵李俊杰
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN202011173860.7
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20201028
申请日 : 20201028
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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