场效应晶体管制造方法及场效应晶体管
授权
摘要
提供一种场效应晶体管制造方法及场效应晶体管。该方法包括：获取目标基底、位于目标基底上的二维材料层及位于二维材料层上的源漏金属层(S201)，在源漏金属层上形成第一掩膜层，并以第一掩膜层做掩膜定义二维材料层的形状，形成剩余的第一掩膜层的区域(S202)，去除位于剩余的第一掩膜层的区域之外的源漏金属层及位于剩余的第一掩膜层的区域之外的二维材料层(S203)，去除剩余的第一掩膜层，形成定义的二维材料层及定义的源漏金属层(S204)，在定义的源漏金属层上形成第二掩膜层，并以第二掩膜层做掩膜定义沟道区域(S205)，去除位于沟道区域内的源漏金属层，形成源极、漏极和沟道区域(S206)，去除剩余的第二掩膜层，形成FET(S207)，从而，提升了FET的性能。
基本信息
专利标题 ：
场效应晶体管制造方法及场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109643655A
申请号 ：
CN201680088587.3
公开（公告）日 ：
2019-04-16
申请日 ：
2016-11-24
授权号 ：
CN109643655B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
李伟张臣雄
申请人 ：
华为技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱颖
优先权 ：
CN201680088587.3
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20161124
申请日 : 20161124
2019-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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