制造分离的双栅场效应晶体管的方法

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摘要

制造具有至少两个栅区的半导体器件的方法。所述方法包括：提供包括表面的衬底。另外，所述方法包括通过至少将第一多个离子注入到衬底中而在衬底中形成源区以及通过至少将第二多个离子注入到衬底中而在衬底中形成漏区。所述漏区和源区彼此分开。此外，所述方法包括在表面上沉积栅层以及在表面上形成第一栅区和第二栅区。

基本信息

专利标题：

制造分离的双栅场效应晶体管的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101017783A

申请号：

CN200610023749.3

公开（公告）日：

2007-08-15

申请日：

2006-02-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

肖德元陈国庆陈良成李若加

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦

优先权：

CN200610023749.3

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336 H01L21/28

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IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/334

制造单极型器件的台阶式工艺

H01L21/335

场效应晶体管

H01L21/336

带有绝缘栅的

法律状态

2013-06-19 ：

授权

2012-11-28 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101473944164
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 2006100237493
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20121029

2007-10-10 ：

实质审查的生效

2007-08-15 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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