沟槽栅场效应晶体管及存储器
授权
摘要
本实用新型提供了一种沟槽栅场效应晶体管及存储器。通过在栅电极中的第一栅极导电层和第二栅极导电层之间设置隔离薄膜层，以避免第一栅极导电层和第二栅极导电层之间相互干扰，并可以对第一栅极导电层和第二栅极导电层的参数分别进行调整，以提高所构成的栅电极的整体性能。并且，还可以调整第一栅极导电层和第二栅极导电层的耦合表面为凹凸不平的表面，以增加第一栅极导电层和第二栅极导电层之间的耦合面积，提高第一栅极导电层和第二栅极导电层之间的耦合性能，进而确保所构成的栅电极的电性能。
基本信息
专利标题 ：
沟槽栅场效应晶体管及存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020537257.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-13
授权号 ：
CN211480040U
授权日 ：
2020-09-11
发明人 ：
永井享浩
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN202020537257.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L27/105
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法律状态
2020-09-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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