屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法
公开
摘要
本申请涉及一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法,其中,屏蔽栅沟槽型场效应晶体管包括:提供基底,并于基底内形成初始沟槽;于初始沟槽的侧壁形成第一牺牲保护层;对基底继续进行刻蚀,以于初始沟槽底部形成第一沟槽;于第一沟槽的槽壁表面形成屏蔽栅介质层;去除第一牺牲保护层,且对基底继续进行刻蚀,以将初始沟槽扩展而形成第二沟槽;形成屏蔽栅极、隔离结构、控制栅介质层以及控制栅极,屏蔽栅极形成于第一沟槽内,控制栅极形成于第二沟槽内,隔离结构形成于屏蔽栅极与控制栅极之间,控制栅介质层形成于控制栅极与第二沟槽的侧壁之间。本申请可以在进行良好的多晶硅填充的同时,有效保证屏蔽栅极的屏蔽功能。
基本信息
专利标题 :
屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114566542A
申请号 :
CN202210195669.5
公开(公告)日 :
2022-05-31
申请日 :
2022-03-01
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
姜怡雯宋金星
申请人 :
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 :
浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号
代理机构 :
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
郭凤杰
优先权 :
CN202210195669.5
主分类号 :
H01L29/423
IPC分类号 :
H01L29/423 H01L21/336 H01L29/06
法律状态
2022-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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