屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法
公开
摘要
本申请涉及一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法，其中，屏蔽栅沟槽型场效应晶体管包括：提供基底，并于基底内形成初始沟槽；于初始沟槽的侧壁形成第一牺牲保护层；对基底继续进行刻蚀，以于初始沟槽底部形成第一沟槽；于第一沟槽的槽壁表面形成屏蔽栅介质层；去除第一牺牲保护层，且对基底继续进行刻蚀，以将初始沟槽扩展而形成第二沟槽；形成屏蔽栅极、隔离结构、控制栅介质层以及控制栅极，屏蔽栅极形成于第一沟槽内，控制栅极形成于第二沟槽内，隔离结构形成于屏蔽栅极与控制栅极之间，控制栅介质层形成于控制栅极与第二沟槽的侧壁之间。本申请可以在进行良好的多晶硅填充的同时，有效保证屏蔽栅极的屏蔽功能。
基本信息
专利标题 ：
屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566542A
申请号 ：
CN202210195669.5
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜怡雯宋金星
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭凤杰
优先权 ：
CN202210195669.5
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L21/336 H01L29/06
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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