基于电荷补偿的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请是关于一种基于电荷补偿的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述漂移区与所述衬底区相接，以所述衬底区指向所述漂移区的方向为上方，所述基体区和所述源区依次设置在所述漂移区的上方；所述屏蔽栅与所述漂移区之间还设置有电荷补偿区，所述屏蔽栅依次通过所述绝缘层和所述电荷补偿区和所述漂移区相接；所述电荷补偿区在所述屏蔽栅的下方以及侧方通过所述绝缘层包围所述屏蔽栅。本申请实施例提供了一种基于电荷补偿的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管，通过电荷补偿区提高器件的击穿电压，并使得晶体管在相同击穿电压下获得更低的导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
基于电荷补偿的屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335149A
申请号 ：
CN202111679647.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张子敏王宇澄虞国新吴飞钟军满
申请人 ：
无锡先瞳半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层810
代理机构 ：
广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈惠珠
优先权 ：
CN202111679647.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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