屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请是关于一种屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、沟槽区、漏极以及源极；所述源区由P型源区和N型源区组成，所述P型源区、所述N型源区和所述沟槽区依次沿所述基体区的顶面设置；在以所述衬底区指向所述漂移区的方向上，所述基体区的底面在所述P型源区上的投影面积小于或者等于所述P型源区的底面的面积；所述N型源区与所述沟槽区连接。当发生雪崩击穿时，空穴电流能够从基体区的底面沿最短的直线距离直接注入P型源区，使得空穴的移动路径变短，延缓寄生三极管的开启，提高了屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管的雪崩耐量。
基本信息
专利标题 ：
屏蔽栅斜沟槽型场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284342A
申请号 ：
CN202111567345.1
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张子敏王宇澄虞国新吴飞钟军满
申请人 ：
无锡先瞳半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层810
代理机构 ：
广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈惠珠
优先权 ：
CN202111567345.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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