具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管及其制备方法
公开
摘要
本申请提供一种具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管，包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、第一沟槽区、漏极以及源极；所述漂移区与所述衬底区相接，以所述衬底区指向所述漂移区的方向为上方，所述基体区和所述源区依次设置在所述漂移区的上方；所述第一沟槽区设置在所述基体区侧方，并分别与所述漂移区、所述基体区和所述源区相接；所述控制栅和所述屏蔽栅由上至下依次设置在所述第一沟槽区内，且经所述第一绝缘层分隔；所述控制栅通过所述第一绝缘层分别与所述基体区和所述源区相接，所述屏蔽栅通过所述绝缘层与所述漂移区相接；所述N型源区设置于所述基体区的上方，所述P型源区设置于所述基体区与所述第一沟槽区相对的侧方。
基本信息
专利标题 ：
具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566548A
申请号 ：
CN202210111178.8
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张子敏王宇澄虞国新吴飞钟军满
申请人 ：
无锡先瞳半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢8层810
代理机构 ：
广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈惠珠
优先权 ：
CN202210111178.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/08 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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