低漏源电阻大过流场效应晶体管
授权
摘要
本实用新型提供了一种低漏源电阻大过流场效应晶体管，包括多个单指核心器件，每个所述单指核心器件包括：P型基底，从所述P型基底的部分顶面至内部设置有深N阱；从所述深N阱的部分顶面至内部设置有P阱和第一N型掺杂区；从所述P阱的部分顶面至内部设置有PN结掺杂区，所述PN结掺杂区作为源极；所述P阱的另一部分顶面上设置有POLY层，所述POLY层作为栅极；其中，所述多个单指核心器件呈阵列排布，相邻的两个单指核心器件之间分别共用所述PN结掺杂区的阴极。通过上下左右两两叉指之间共用阴极，达到了节省版图面积的目的。
基本信息
专利标题 ：
低漏源电阻大过流场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021099417.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-15
授权号 ：
CN212010982U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
茅寅松吴岩
申请人 ：
上海安导电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市奉贤区海湾镇五四支路171号14幢92室
代理机构 ：
上海段和段律师事务所
代理人 ：
李佳俊
优先权 ：
CN202021099417.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L27/088
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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